CN119604073A 一种优化台面制作的ⅱ类超晶格红外探测器制备方法 （山西创芯光电科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604073A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202510138011.4

(22)申请日2025.02.08

(71)申请人山西创芯光电科技有限公司

地址030000山西省太原市小店区南内环

街16号二号厂房一层

(72)发明人张竟张培峰苏莹王慧云李水利王书浩

(74)专利代理机构太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙)14109

专利代理师孟肖阳崔浩

(51)Int.Cl.

H10F71/00(2025.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

一种优化台面制作的Ⅱ类超晶格红外探测

器制备方法

(57)摘要

CN119604073A本发明提供了一种优化台面制作的Ⅱ类超晶格红外探测器制备方法，属于红外探测器制备技术领域；包括以下步骤：首先在衬底上方依次均匀生长缓冲层和第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上方生长绝缘的定义层；定义层生长完成后，在定义层上方位置吸附一张Mask，Mask的开孔位置即为定义层限定的台面范围；根据需要依次生长相应的膜层；生长钝化层；后续按照常规工艺进行钝化开孔、金电极、铟电极、倒装互联得到红外探测器；本发明可以避免台面刻蚀，进而避免干法刻蚀和湿法刻蚀带来的材料损伤，进而