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半导体行业测试部测试工程师芯片测试作业指导书

第1章半导体器件基础与测试原理

1.1半导体物理特性与掺杂原理

本小节首先阐述本征半导体（如纯硅）的导电机制，即通过热激发产生电子-空穴对，其导电能力随温度升高呈指数级增强，这是理解所有半导体器件特性的基石。接着介绍掺杂原理，即通过引入微量杂质原子来改变半导体载流子类型和浓度，例如在硅中掺入磷（P）形成N型半导体，掺入硼（B）形成P型半导体，从而构建出具有特定电学性质的PN结。

随后详细解析PN结的形成过程，当P型和N型区域接触时，由于载流子扩散导致界面处形成空间电荷区（耗尽层），该区域内存在由多数载流子指