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- 2026-05-27 发布于北京
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APM4410
N沟道增强型MOSFET
特性引脚描述
•30V/11.5A,RDS(ON)=9m(典型值)@VGS=10
S18D
VRDS(ON)=14.5m(典型值)@VGS=4.5V
S27D
•度单元设计
S36D
•可靠且坚固
G45D
•SO‑8封装
APM4410
N沟道增强型MOSFET
特性引脚描述
•30V/11.5A,RDS(ON)=9m(典型值)@VGS=10
S18D
VRDS(ON)=14.5m(典型值)@VGS=4.5V
S27D
•度单元设计
S36D
•可靠且坚固
G45D
•SO‑8封装
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