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2025年半导体竞赛题库及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种材料不属于第三代半导体？

A.碳化硅（SiC）

B.氮化镓（GaN）

C.砷化镓（GaAs）

D.氧化镓（Ga?O?）

答案：C

2.摩尔定律的核心表述是：集成电路上可容纳的晶体管数目约每（）个月增加一倍？

A.12

B.18

C.24

D.36

答案：B

3.极紫外光刻（EUV）技术中，光源的波长为？

A.193nm

B.248nm

C.13.5nm

D.10.5nm

答案：C

4.以下哪种工艺用于芯片制造中去除晶圆表面多余材料，实现全局平坦化？

A.化学气相沉积（CVD）

B.物理气相沉积（PVD）

C.化学机械抛光（CMP）

D.原子层沉积（ALD）

答案：C

5.场效应晶体管（FET）中，短沟道效应主要影响（）尺寸的器件？

A.沟道长度大于1μm

B.沟道长度小于100nm

C.沟道宽度大于1μm

D.沟道宽度小于100nm

答案：B

6.以下哪种封装技术通过硅通孔（TSV）实现芯片垂直互连？

A.球栅阵列（BGA）

B.晶圆级封装（WLP）

C.2.5D封装（如CoWoS）

D.系统级封装（SiP）