2025年半导体辅料制备工工艺创新考核试卷及答案.docxVIP

2025年半导体辅料制备工工艺创新考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.第三代半导体SiC基辅料制备中，用于降低表面缺陷的新型络合剂最佳pH范围是（）

A.4.5-5.5B.6.0-7.0C.8.2-9.0D.10.5-11.5

2.超纯氨水制备中，采用多级膜蒸馏技术时，若原料液氨浓度为28%（质量分数），一级膜组件截留率92%，二级截留率95%，最终氨水浓度约为（）

A.25.7%B.26.3%C.27.1%D.27.8%

3.光刻胶溶剂PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）提纯工艺中，为避免热分解，最佳精馏塔釜温应控制在（）

A.120-130℃B.140-150℃C.160-170℃D.180-190℃

4.CMP抛光液中，纳米SiO?磨料的zeta电位绝对值需≥（）mV才能保证长期分散稳定性

A.10B.20C.30D.40

5.电子级氢氟酸制备中，采用气液固三相反应除硼时，最佳反应时间为（）

A.30minB.60minC.90minD.120min

6.新型低粘度光刻胶稀释剂开发中，需将原溶剂体系的粘度从3.2mPa·s降至2.0mPa·s，若添加质量分数为15%的稀释剂A（粘度0.8mPa·s），则混合后理论粘度约为（）（假设体积可