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2025年半导体辅料制备工职业技能考核试卷及答案

一、理论知识考核（总分70分）

（一）单项选择题（每题2分，共20题，40分）

1.半导体级高纯度氢氟酸的金属杂质总含量通常需控制在：

A.1ppm以下

B.100ppb以下

C.10ppb以下

D.1ppb以下

2.光刻胶的核心成分不包括：

A.成膜树脂

B.感光剂

C.溶剂

D.助焊剂

3.超纯氮气在半导体工艺中用于保护气体时，其水含量需低于：

A.1ppm

B.0.1ppm

C.10ppm

D.0.01ppm

4.配制半导体清洗用氨水（NH?·H?O）时，需使用的去离子水电阻率应不低于：

A.1MΩ·cm

B.5MΩ·cm

C.10MΩ·cm

D.18.2MΩ·cm

5.以下哪种工艺不是半导体辅料常用的纯化方法？

A.减压蒸馏

B.离子交换

C.机械搅拌

D.膜过滤

6.光刻胶显影液（如TMAH溶液）的温度控制精度通常要求为：

A.±5℃

B.±2℃

C.±0.5℃

D.±0.1℃

7.半导体级过氧化氢（H?O?）的浓度一般控制在：

A.10%-15%

B.20%-25%

C.30%-35%

D.40%-45%

8.超纯氩气在