低温GaN成核层MOCVD生长工艺对GaN外延薄膜结构与性能的影响机制研究.docx

低温GaN成核层MOCVD生长工艺对GaN外延薄膜结构与性能的影响机制研究

一、引言

1.1GaN材料概述

氮化镓（GaN）作为一种极具潜力的化合物半导体材料，在现代电子领域中占据着日益重要的地位。其具有独特的晶体结构，常见的为六方纤锌矿结构，这种结构赋予了GaN许多优异的性能。从物理性质来看，GaN拥有宽禁带宽度，达到约3.4eV，这一特性使得它在高温、高功率以及高频等应用场景中表现出色。相较于传统的硅基半导体材料，GaN的禁带宽度更大，能够承受更高的电场强度，从而具备更高的击穿电压，为制造高性能的功率器件提供了可能。

GaN还具有高电子迁移率和高饱和电子漂移速度的优势。高