CN119629988A 三维存储器及其制备方法 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119629988A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202311172129.6

(22)申请日2023.09.12

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区科创十街18号院11号楼四层401室

(72)发明人邵峰余泳王祥升刘铭旭康卜文

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师鲁盛楠

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书1页说明书10页附图6页

(54)发明名称

三维存储器及其制备方法

(57)摘要

CN119629988A本公开涉及一种三维存储器及其制备方法。该三维存储器具有阵列区及位于阵列区旁侧的周边区，包括：至少一个阶梯结构和多个信号线引线。阶梯结构位于周边区，包括：沿垂直衬底方向交替层叠的多个导电台阶和多个绝缘台阶。信号线引线位于对应导电台阶的表面并与导电台阶电性连接；各信号线引线的寄生电容负载之间的最大差值小于或等于目标阈值。本公开利于提

CN119629988A

CN119629988A权利要求书1/1页