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外场作用下碳纳米管天线的辐射理论分析

碳纳米管的带隙（Eg）取决于它的直径和螺旋度，随着碳纳米管管径的变大，带隙Eg呈一个线性降低趋势。具备不同的管径和卷曲角度的碳纳米管可以表现为金属性质、半导体性质和绝缘性质。我们则可以控制碳纳米管直径和螺旋度导体性质的单壁碳纳米管的带隙可以在几到几百MeV内变化[24]。而对太赫兹波段恰为的电磁波，它的震荡周期是1ps,对应的辐射波波长为300?m。但是1THz的光子能量是4.1MeV,对应于33个波数，特征温度48K。可以看出完全可以利用碳纳米管光电天线来辐射太赫兹波。

光电导天线的方法产生太赫兹辐射,主要是通过激光照射半导体