CN119767724A 一种GaN基增强型HEMT器件结构及其制作方法 （上海新微半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119767724A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202411970375.0

(22)申请日2024.12.30

(71)申请人上海新微半导体有限公司

地址200120上海市浦东新区中国(上海)

自由贸易试验区临港新片区飞渡路

2020号

(72)发明人尹杰雷嘉成

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219

专利代理师刘星

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/47(2025.01)

H10D62/10(2025.01)