CN119650514A 三维集成结构及其制作方法 （武汉新芯集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119650514A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411750324.7

(22)申请日2022.07.27

(62)分案原申请数据

202210893231.42022.07.27

(71)申请人武汉新芯集成电路股份有限公司

地址430205湖北省武汉市东湖开发区高

新四路18号

(72)发明人章安娜周玉胡胜

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

专利代理师顾丹丽

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H10D84/03(2025.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

三维集成结构及其制作方法

(57)摘要

CN119650514A本发明涉及一种三维集成结构及其制作方法。所述制作方法中，对应于堆叠晶圆的外围区进行切边工艺，形成邻接且包围有效器件区的斜切面以及位于斜切面外侧且邻接斜切面的夹持面，从有效器件区的边缘向外，堆叠晶圆的厚度经所述斜切面逐渐降低，夹持面的倾斜度较斜切面的倾斜度小，这样在涂敷光阻层时，有效器件区和斜切面的连接区域容易被光阻层覆盖，避免形成无光阻区而影响后续工艺，利用所述夹持面，不需要将夹具夹在堆叠晶圆的顶表面，可以避免