CN119650516A 一种改善3d晶圆堆叠漏电的方法及半导体结构 （物元半导体技术(青岛)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119650516A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510168020.8

(22)申请日2025.02.17

(71)申请人物元半导体技术（青岛）有限公司

地址266111山东省青岛市城阳区棘洪滩

街道锦盛二路金岭片区社区中心430

室

(72)发明人颜天才杨列勇

(74)专利代理机构青岛清泰联信知识产权代理

有限公司37256

专利代理师张媛媛

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/538(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图6页

(54)发明名称

一种改善3D晶圆堆叠漏电的方法及半导体

结构

(57)摘要

CN119650516A本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种改善3D晶圆堆叠漏电的方法及半导体结构。提供晶圆，晶圆包括基底层和氧化物层，氧化物层一侧为键合面，基底层一侧为底面；在氧化物层内设置有金属互连结构，由键合面侧在所述氧化物层开设通孔，通孔连通所述金属互连结构并填充导体层；一晶圆与另一晶圆的键合面相对，两晶圆的导体层连通；在任一晶圆底面向金属互连结构的方向开TSV通孔，TSV通孔连通所述金属互连结构；在TSV通孔内沉积氧化沉积层，所述氧化沉积层至少覆盖TSV通孔侧