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低压ITO基薄膜晶体管的性能优化与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

薄膜晶体管（Thin-FilmTransistor，TFT）作为现代电子器件中的关键元件，自20世纪60年代首次出现以来，经历了飞速的发展。其起源可追溯到1925年德裔美国物理学家李利费尔提出的场效应晶体管概念，随后在技术不断突破下，1962年第一个真正的薄膜晶体管诞生，采用多晶硫化镉薄膜作为沟道层。此后，薄膜晶体管技术持续革新，从早期的非晶硅薄膜晶体管，到高性能多晶硅薄膜晶体管的出现，再到有机薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管等的研究发展，其应用领域也不断拓展，从最初的显示领域，逐渐延伸至传感、探测等多