CN119650409A 自支撑纳米多孔ⅲ族氮化物薄膜及其制备方法与应用 （南京晓庄学院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119650409A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202311183518.9

(22)申请日2023.09.13

(71)申请人南京晓庄学院

地址211171江苏省南京市江宁区弘景大

道3601号

(72)发明人李婧周恺祁峥东

(74)专利代理机构南京纵横知识产权代理有限

公司32224

专利代理师马进

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

H01L21/683(2006.01)

B01J27/24(2006.01)

B01J35/39(2024.01)

G02B27/01(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图3页

(54)发明名称

自支撑纳米多孔Ⅲ族氮化物薄膜及其制备

方法与应用

(57)摘要

CN119650409A本发明公开了自支撑纳米多孔Ⅲ族氮化物薄膜及其制备方法与应用，其中制备方法包括在衬底上依次生长n_GaN层、n+_GaN层、u_Ⅲ族氮化物层，形成三层外延结构；以n_GaN层作为导电层、u_Ⅲ族氮化物层为目标层，利用紫外光辅助的电化学腐蚀法将u_Ⅲ族氮化物层多孔化，多孔结构为三维连通孔结构；以n+_GaN层为腐蚀牺牲层，利用选择性电化学腐蚀法腐蚀溶解n+_GaN