CN119650418A 一种键合晶圆制备方法 （天通瑞宏科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119650418A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510174534.4

(22)申请日2025.02.18

(71)申请人天通瑞宏科技有限公司

地址314499浙江省嘉兴市海宁市海昌街

道谷水路306号1幢（东）

(72)发明人徐剑峰沈君尧归欢焕陆斌杰傅泷塬

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理

有限公司11463

专利代理师崔熠

(51)Int.Cl.

H01L21/18(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图1页

(54)发明名称

一种键合晶圆制备方法

(57)摘要

CN119650418A本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种键合晶圆制备方法，包括：提供第一晶圆与第二晶圆；将第一晶圆放入镀膜真空腔室内，并在第一晶圆表面沉积类金刚石膜层；向原子枪中通入保护气体和氧气，原子枪分别朝向第一晶圆以及第二晶圆发射原子束，第一晶圆靠近第二晶圆一侧表面形成第一非晶层，第二晶圆靠近第一晶圆一侧表面形成第二非晶层；第一晶圆与第二晶圆贴合，以使第一非晶层与第二非晶层键合，得到键合晶圆。本申请实施例能够有效提升键合强度与界面质量，得到高可靠性且带有类金刚石膜层

CN11965