CN119654698A 用于使用金属硬掩模形成半导体器件的方法 （东京毅力科创株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119654698A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202380058223.0

(22)申请日2023.08.01

(30)优先权数据

17/901,7272022.09.01US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.02.07

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2023/0291892023.08.01

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/049609EN2024.03.07

(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本

(72)发明人亚历