微纳加工工艺工程师考试试卷及答案.docVIP

微纳加工工艺工程师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.光刻工艺中显影后固化光刻胶的步骤是______

2.以等离子体激活反应气体的CVD工艺是______

3.湿法刻蚀的核心原理是______

4.微纳加工最小线宽常用单位是______

5.光刻胶按波长分，除g线、i线外还有______

6.反应离子刻蚀（RIE）的典型优势是______

7.PVD的主要类型包括蒸发和______

8.微纳加工常用掩模材料是石英和______

9.光刻前烘的目的是去除光刻胶中的______

10.干法刻蚀中各向同性刻蚀的典型气体是______

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.以下属于干法刻蚀的是（）

A.HF刻蚀SiO?B.反应离子刻蚀C.KOH刻蚀硅D.磷酸刻蚀铝

2.PECVD相比LPCVD的优势是（）

A.温度更高B.速率更快C.纯度更高D.台阶覆盖更好

3.正性光刻胶的特点是（）

A.曝光区不溶显影液B.曝光区溶显影液C.对比度更低D.分辨率更低

4.高深宽比结构刻蚀首选（）

A.湿法刻蚀B.RIEC.DRIED.等离子体刻蚀

5.可沉积金属薄膜的PVD工艺是（）

A.热蒸发B.LPCVDC.氧化D.扩散

6.多层光刻图形的对准误差称为（）

A.分辨率B.套刻精度C.线宽D.均匀性

7.影响干法刻蚀速率的无关因素是（）

A.气体流量B.射频功率C.沉积温度D.腔