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微纳制造技师试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.微纳制造中，光刻工艺的核心是实现______的图形转移。

2.深反应离子刻蚀（DRIE）常用于获得______的微纳结构。

3.原子层沉积（ALD）的特点是______沉积，可实现原子级厚度控制。

4.微纳制造常用衬底材料中，______是最基础的半导体材料。

5.光刻胶按曝光后溶解性分为正性和______两种。

6.纳米压印（NIL）技术分为热压印、紫外压印和______压印。

7.微纳压力传感器常利用硅的______效应。

8.扫描电子显微镜（SEM）用于微纳结构的______表征。

9.化学气相沉积（CVD）是通过______反应制备薄膜的技术。

10.微纳制造的特征尺寸通常小于______微米。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下不属于干法刻蚀的是（）

A.ICP刻蚀B.湿法腐蚀C.RIE刻蚀D.DRIE刻蚀

2.正性光刻胶曝光后（）

A.不溶于显影液B.溶于显影液C.交联固化D.无变化

3.原子力显微镜（AFM）的核心部件是（）

A.电子束B.激光束C.悬臂梁探针D.离子束

4.以下不适合微纳制造的材料是（）

A.硅B.PDMSC.二氧化硅D.铅

5.深宽比（AR）的计算公式是（）

A.结构高度/宽度B.宽度/高度C.面积/体积D.体积/面积

6.紫外光刻的分辨率极限约为（）

A.10nmB.100