《GBT 4937.29-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分：闩锁试验》学习与解PPT课件.pptxVIP

《GB/T4937.29-2025半导体器件机械和气候试验方法第29部分：闩锁试验》学习与解读

目录

02

试验目的与范围

01

标准概述

03

试验原理与机制

04

试验方法详解

05

设备与设置要求

06

结果评估与解读

标准概述

01

标准背景与发布信息

国际标准转化

本标准等同采用IEC60749-29:2011国际标准，体现了中国半导体测试领域与国际接轨的技术要求，确保测试方法的全球一致性。

由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口，工业和信息化部电子第五研究所为主要起草单位，具备专业的技术背景和标准化经验。

标准计划于2026年7月1日正式实施，为半导体器件制造商和检测机构提供明确的过渡期以适应新规范。

归口与起草单位

实施时间规划

适用范围与对象

规范了器件在过压、过流等异常工作条件下的闩锁效应测试方法，包括电源端和I/O端的触发测试。

适用于CMOS工艺制造的集成电路和分立器件，特别针对存在寄生PNPN结构的半导体器件，如微处理器、存储器等。

主要面向半导体设计企业、晶圆制造厂、封装测试厂商及第三方检测机构，为其提供统一的可靠性评估依据。

不适用于光电器件、MEMS传感器等非CMOS结构器件，这类器件需参考其他专项测试标准。

器件类型覆盖

测试场景定义

用户群体明确

排除范围说明

标准包含术语定义、设备要求、测试程序、失效判据四大核心章节