CN119688792A 一种气敏材料及其制备方法与应用 （大连理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119688792A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202311227173.2

(22)申请日2023.09.22

(71)申请人大连理工大学

地址116024辽宁省大连市甘井子区凌工

路2号

(72)发明人杨明辉赵雪飞

(74)专利代理机构山东知圣律师事务所37262

专利代理师陈晓辉

(51)Int.Cl.

G01N27/12(2006.01)

B82Y15/00(2011.01)

B82Y30/00(2011.01)

B82Y40/00(2011.01)

权利要求书1页说明书6页附图3页

(54)发明名称

一种气敏材料及其制备方法与应用

(57)摘要

CN119688792A本发明属于气体传感器技术领域，具体涉及一种气敏材料及其制备方法与应用。所述气敏材料的化学式为CoxNi3-x(HITP)2，所述x为0.6-2.4。所述CoxNi3-x(HITP)2具有可预先设计、高度有序的结构和丰富的物理化学性质，突破了传统MOF通常是电绝缘体的局限性，可应用于无氧环境。所述CoxNi3-x(HITP)2的制备方法简单，操作简便，可重复性高。所述CoxNi3-x(HITP)2可与金叉指电极组成气体传感器，所述气体传