CN119694984A 硅转接板的制备方法和硅转接板 （北京芯力技术创新中心有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119694984A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202510211483.8

(22)申请日2025.02.25

(71)申请人北京芯力技术创新中心有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区永昌中路16号3号楼1层、2层

201

(72)发明人章莱刘括王阳

(74)专利代理机构北京知帆远景知识产权代理

有限公司11890

专利代理师安伟

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/48(2006.01)

H01L23/522(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图12页

(54)发明名称

硅转接板的制备方法和硅转接板

(57)摘要

CN119694984A本申请公开了一种硅转接板的制备方法和硅转接板，属于半导体技术领域。该制备方法包括，提供晶圆；其中，所述晶圆包括硅基底和层间介质层，所述层间介质层设置在所述硅基底上，且所述层间介质层的介电常数在预设范围内，所述层间介质层中设置有第一导电件；在所述硅基底远离所述层间介质层的一侧沉积掩膜层，并基于所述第一导电件在所述掩膜层上刻蚀通孔，将所述通孔的底部刻蚀至所述第一导电件靠近所述硅基底的一侧；在所述通孔内部填充导电材料，