CN119695060A 一种利用原子层沉积制备含有亚纳米尺度离子传导改善层的多孔碳结构的方法及应用 （中山大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119695060A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202411850630.8

(22)申请日2024.12.16

(71)申请人中山大学

地址510275广东省广州市海珠区新港西

路135号

(72)发明人钱果裕曹骏唐悦源卢侠

卢学毅刘奕韬徐铭泽钱嘉瑶吴天奇

(74)专利代理机构广东南北知识产权代理事务

所(普通合伙)44918专利代理师朱名海

(51)Int.Cl.

H01M4/13(2010.01)

C01B25/45(2006.01)

C01B33/029(2006.01)

H01M4/36(2006.01)

H01M4/04(2006.01)

H01M4/38(2006.01)

H01M4/62(2006.01)

H01M4/58(2010.01)

H01M4/133(2010.01)

H01M4/134(2010.01)

H01M4/136(2010.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

一种利用原子层沉积制备含有亚纳米尺度离子传导改善层的多孔碳结构的方法及应用

(57)摘要

CN119695060A本发明属于电池材料技术领域，具体涉及