石墨烯制备与应用手册.docxVIP

石墨烯制备与应用手册

第1章石墨烯制备技术原理与分类

1.1化学气相沉积法（CVD）工艺优化与性能调控

CVD法是将石墨化碳源（如乙炔）通入高温反应管，在金属催化剂表面分解碳原子并沉积形成石墨烯薄膜的过程，其核心在于优化碳源浓度、反应温度（通常为900-1200℃）及压力参数。在硅基基底上，采用乙炔/氢气混合气，通过控制氢气分压来抑制碳原子聚合，使石墨烯呈现单晶结构，此时生长速率约为50-80μm/h，缺陷密度可控制在10^-3cm^-2以下。

对于柔性基底（如聚酰亚胺）的适配，需选用低熔点金属催化剂（如钌或铂），且反应气氛需为还原性环境以防止石墨烯在后续退火中氧化