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TC 0.18μm工艺8Kx8高速单端口同步SRAM技术规格.pdfVIP

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  • 2026-06-16 发布于北京
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TC 0.18μm工艺8Kx8高速单端口同步SRAM技术规格.pdf

    高速单端口同步SRAM

    工艺技术：TSMC

    __

    sramsphse_8kx88192X8，

    CL018G

    多路复用16，驱动12

    特性内存描述

    •针对TSMC六层金属0.18微米CL018GCMOS工艺的精确优8192X8SRAM是一种高性能、同步单端口、8192字

    化×8位的器，设计旨在充分利用台积电的六层金属、

    •度（面积为0.496mm2）0.18微米CL018GCMOS工艺。

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