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硅材料生产与加工工艺手册

第1章硅材料基础理论与工艺原理

1.1半导体硅晶体结构特性与缺陷机制

硅晶体属于金刚石结构，由两个相互穿插的面心立方晶格构成，原子间距约为0.543nm，键角为109.5°，这一结构赋予了硅优异的共价键特性。硅晶格中存在多种点缺陷，其中空位和间隙原子是主要的非本征缺陷类型，空位浓度在室温下约为每立方厘米10^16至10^17个。

晶格畸变是点缺陷存在的直接原因，当外来原子取代硅原子时，周围硅原子会发生键长拉伸或压缩，导致局部晶格应变能升高。晶格缺陷的扩散机制主要包括空位扩散和间隙原子扩散，其中空位扩散系数随温度升高呈指数级增加，遵循Ar