CN119738687A 电子mos管阵列的自适应校准方法及装置 （精华隆智慧感知科技（深圳）股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119738687A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510253969.8

(22)申请日2025.03.05

(71)申请人精华隆智慧感知科技（深圳）股份有限公司

地址518000广东省深圳市龙华区观湖街

道鹭湖社区观盛二路6号深圳思创科技园A栋1608

(72)发明人徐友华

(74)专利代理机构北京华艺德嘉知识产权代理

有限公司16326

专利代理师刘娅

(51)Int.Cl.

G01R31/26(2020.01)

G01J5/00(2022.01)

G01J5/48(2022.01)

G05B13/04(2006.01)

权利要求书3页说明书18页附图4页

(54)发明名称

电子MOS管阵列的自适应校准方法及装置

(57)摘要

CN119738687A本发明涉及MOS管阵列校准领域，尤其涉及一种电子MOS管阵列的自适应校准方法及装置。该方法包括以下步骤：获取电子MOS管阵列的实时热成像图像；对所述实时热成像图像进行温度分布离散拟合，构建动态温度分布变化图；采集电子MOS管阵列的实时电学特性数据；根据动态温度分布变化图及实时电学特性数据进行局部自适应电流分配，从而构建局部电流自适应分配策略；基于所述实时电学特性数据进行常态化