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集成电路设计制造与封装手册

第1章集成电路设计基础与架构

1.1半导体物理与器件工作原理

硅基半导体材料的电子迁移率受温度影响显著，在室温下电子迁移率约为1000cm2/V·s，而空穴迁移率约为400cm2/V·s，这是决定MOSFET开关速度上限的物理基础。PN结的单向导电性源于能带图中价带与导带的能量差，当正向偏压超过0.7V时，耗尽区变窄，载流子浓度呈指数级增加，从而形成导通电流。

在NMOS晶体管的源漏极之间，沟道形成依赖于栅极电压$V_{GS}$超过阈值电压$V_{th}$，此时表面发生强反型，产生电子浓度达到$n_{ch}\approx