CN119744076A 一种正型量子点发光二极管及制备方法 （河南大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119744076A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411956221.6

(22)申请日2024.12.28

(71)申请人河南大学

地址475004河南省开封市龙亭区金明大

道北段

(72)发明人王书杰蔡粉沙张家薇

(74)专利代理机构郑州芝麻知识产权代理事务所(普通合伙)41173

专利代理师付豪

(51)Int.Cl.

H10K50/165(2023.01)

H10K71/30(2023.01)

H10K50/115(2023.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

一种正型量子点发光二极管及制备方法

(57)摘要

CN119744076A本发明提供了一种正型量子点发光二极管及制备方法，属于光电材料技术领域。本发明提供一种正型量子点发光二极管，自下而上包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述电子传输层为卤素胺盐修饰的ZnMgO薄膜。本发明通过使用卤素胺盐修饰ZnMgO薄膜，能够使ZnMgO电子传输层的导带能级上移，增加电极和电子传输层之间的界面势垒，有利于阻挡过多电子注入，促进器件中载流子注入平衡。同时，卤素胺盐中的胺基阳离子能钝化ZnMgO表面的羟基缺陷态，高电