CN119744112A 一种高密度、低功耗的相变存储材料及其制备方法与应用 （上海应用技术大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119744112A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411565948.1

(22)申请日2024.11.05

(71)申请人上海应用技术大学

地址201418上海市奉贤区海泉路100号

(72)发明人刘瑞蕊李安定陈煜坤刘柳

(74)专利代理机构上海科盛知识产权代理有限

公司31225

专利代理师梁睿莉

(51)Int.Cl.

H10N70/00(2023.01)

H10N70/20(2023.01)

H10B63/10(2023.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种高密度、低功耗的相变存储材料及其制

备方法与应用

(57)摘要

CN119744112A本发明涉及一种高密度、低功耗的相变存储材料及其制备方法与应用，所述相变存储材料由MTe和N两种不同材料的薄膜层交替叠加而成，得到具有超晶格结构的纳米复合多层薄膜；所述相变存储材料的化学通式为[MTe(x)_N(y)]n，式中M选自Ti、Mn或Sm中的一种；N为相变存储层，其选自Ge_Sb_Te、Sb2Te3、GeTe、Ge_Sb、Ga_Sb或Sb_Se中的一种；x和y分别表示两种薄膜层的厚度，单位为nm；n为两种薄膜层的交替周期数，且所述相