CN119768572A 磷化铟单晶衬底以及磷化铟单晶的制造方法 （住友电气工业株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119768572A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202380061451.3

(22)申请日2023.04.18

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.02.21

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0154712023.04.18

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/218860JA2024.10.24

(71)申请人住友电气工业株式会社地址日本大阪府

(72)发明人木户优花坂本良二柳泽拓弥善积祐介桥尾克司

(74)专利代理机构北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413

专利代理师邵秋雨刘继富

(51)Int.Cl.

C30B29/40(2006.01)

权利要求书4页说明书23页附图6页

(54)发明名称

磷化铟单晶衬底以及磷化铟单晶的制造方

法

(57)摘要

CN119768572A本发明的磷化铟单晶衬底具有圆形的主表面，上述主表面被格子间距为1mm的正方格子假想地划分。上述正方格子由沿着第一方向和与上述第一方向正交的第二方向存在的多个格子点构成。由在各上述格子点测定的位错密度构成的集合分别具有作为上述集合的平均值的第一整面平均值和作为上述集合的标准偏差的第一整