CN119789415A 半导体结构及其制造方法 （南亚科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789415A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202410107217.6

(22)申请日2024.01.25

(30)优先权数据

18/376,5532023.10.04US

(71)申请人南亚科技股份有限公司

地址中国台湾新北市泰山区南林路98号

(72)发明人王维志

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师康艳青张铮铮

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书2页说明书7页附图11页

(54)发明名称

半导体结构及其制造方法

(57)摘要

CN119789415A本揭露的实施例提供了一种包括基板的半导体结构。基板包括主动区及位于主动区之间的隔离区。每个主动区的第一端具有第一头部，每个主动区的第二端具有第二头部，每个主动区的中间部分具有腰部。在俯视图中，每个主动区的第一头部及第二头部分别具有第一宽度，且每个主动区的腰部具有第二宽度。并且，第一宽度大于第二宽度。此外，本揭露也提供一种半导体结构的制造方法。通过本揭露的实施例可以降低接触电阻，进而提高半导体结构中S/D区的电流性

CN119789415A

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