CN119805855A 一种双面纳米压印结构的制备方法 （中北大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119805855A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202510293169.9

(22)申请日2025.03.13

(71)申请人中北大学

地址030032山西省太原市尖草坪区学院

路3号

(72)发明人李志强雷程梁庭王思哲

王涛龙余建刚李丰超贾平岗

(74)专利代理机构南京引力知远知识产权代理事务所(普通合伙)32845

专利代理师纪烜晓

(51)Int.Cl.

G03F7/00(2006.01)

G03F7/11(2006.01)

权利要求书3页说明书12页附图8页

(54)发明名称

一种双面纳米压印结构的制备方法

(57)摘要

CN119805855A本发明提供一种双面纳米压印结构的制备方法，其中，方法包括：形成第一光刻胶涂层，并基于第一光刻胶涂层进行图案化处理，对应第一光刻胶涂层的衬底遮挡部；对第一衬底A面进行刻蚀，形成凹槽结构，并将所述衬底遮挡部进行去除；将第一衬底、第二衬底进行衬底键合，以形成密封腔体；形成第一UV保护层，并对第二衬底B面进行结构化处理，形成第一纳米结构层；去除第一UV保护层，在第二衬底B面上形成第二UV保护层，并对第一衬底B面进行结构化处理，形成位于所述第一衬底B面上的第二纳