CN119805828A 一种光电耦合型lspr变红外发射率器件及其制备方法与应用 （中国人民解放军国防科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119805828A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202510307921.0

(22)申请日2025.03.17

(71)申请人中国人民解放军国防科技大学

地址410000湖南省长沙市开福区德雅路

109号

(72)发明人贾岩程海峰祖梅刘东青于川原肖俊

(74)专利代理机构长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙)43213

专利代理师苗雅娟

(51)Int.Cl.

G02F1/1523(2019.01)

G02F1/155(2006.01)

G02F1/163(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种光电耦合型LSPR变红外发射率器件及

其制备方法与应用

(57)摘要

CN119805828A本发明公开一种光电耦合型LSPR变红外发射率器件及其制备方法与应用，所述光电耦合型LSPR变红外发射率器件由下至上依次包括导电基底层、空穴层、铝掺氧化锌纳米晶层和红外透明电极层，所述红外透明电极层和导电基底层分别与正、负电极相连；所述红外透明电极层为能透过紫外光和红外光的材质，所述空穴层为能实现电子储存和传输的材质；所述铝掺氧化锌纳米晶层被紫外光激发产生光电子注入铝掺氧化锌纳米晶层中，施加