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2.化学机械抛光(CMP)技术原理
化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)是一种在半导体制造过程中广泛使用的表面处理技术。它结合了化学反应和机械磨损,以实现晶圆表面的高度平坦化。CMP技术在多个工艺步骤中都有应用,包括浅沟槽隔离(STI)、多层金属互连、铜互连、介质层平坦化等。本节将详细介绍CMP的基本原理、过程控制以及在HitachiFPP-300机器人中的应用。
2.1CMP的基本原理
2.1.1化学反应和机械磨损
CMP技术的核心在于化学反应和机械磨损的协同作用。晶圆表面的材料在化学浆料(slur
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