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2.5V P通道PowerTrenchTM MOSFET技术概述与应用.pdfVIP

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  • 2026-07-01 发布于四川
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2.5V P通道PowerTrenchTM MOSFET技术概述与应用.pdf

    1999年8月

    FDN342P

    P通道2.5V规格PowerTrenchTMMOSFET

    概述特性

    =0=

    这款P通道2.5V规格的MOSFET是在•‑2A,‑20V.RDS(ON).08@VGS‑4.5V

    这是Fairchild公司先进的PowerTrench工艺的坚

    R=0.13@V=‑2.5V.

    固栅极版本。它已经过优化DS(ON)GS

    适用于广泛的栅极驱动电压（2.5V‑12V）的电源管理应用。

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