CN119812450A 一种低载流子氧卤化物固态电解质材料及其制备方法 （天津大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119812450A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202510016230.5

(22)申请日2025.01.06

(71)申请人天津大学

地址300072天津市南开区卫津路92号

(72)发明人杨春鹏李德元罗菲菲

(74)专利代理机构天津知川知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12249

专利代理师李莎

(51)Int.Cl.

H01M10/0562(2010.01)

H01M10/052(2010.01)

H01M10/054(2010.01)

权利要求书2页说明书9页附图2页

(54)发明名称

一种低载流子氧卤化物固态电解质材料及

其制备方法

(57)摘要

CN119812450A本发明提供了一种低载流子氧卤化物固态电解质材料及其制备方法；本发明提供的低载流子氧卤化物固态电解质材料具有通式：AaMbOBc；其中，0.3＜a＜0.7，0.35＜b＜1.1，1＜c＜4；所述材料的原料包括作为宿主结构的过渡金属氧化物Mz1Oz2，作为填料的碱金属卤化物Ax1Bx2和过渡金属卤化物My1By2；所述材料AaMbOBc和宿主结构Mz1Oz2具有相同的晶体结构；晶体结构的一致性有助于使用较少的载流子即可高效传输，达到

CN