CN119816193A 基于铁电面外极化的自整流铁电忆阻器及其制备方法 （浙江大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119816193A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202510302394.4

(22)申请日2025.03.14

(71)申请人浙江大学

地址310058浙江省杭州市西湖区余杭塘

路866号

(72)发明人俞滨王丁薛飞何有水张亦舒

(74)专利代理机构杭州求是专利事务所有限公司33200

专利代理师刘静

(51)Int.Cl.

H10N70/20(2023.01)

H10N70/00(2023.01)

权利要求书1页说明书5页附图3页

(54)发明名称

基于铁电面外极化的自整流铁电忆阻器及

其制备方法

(57)摘要

CN119816193A本发明公开了一种基于铁电面外极化的自整流铁电忆阻器及其制备方法。该忆阻器从上至下为上电极层、铁电层、半导体层垂直结构；铁电层为具有面外铁电极化的铁电半导体；铁电层的面外极化方向同时垂直于上电极层/铁电层界面和铁电层/半导体层界面，两个接触面形成非对称势垒，通过外加电压会改变铁电层的面外极化状态，从而改变两个接触面的势垒高度，同时改变半导体层的载流子输运特性，进而达到对于忆阻器电导态的调控功能。通过外围电路测量忆阻器的导通电流作为存储数值。本发明利用铁电层在极化翻转过程与硅界面的接触势垒的