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基于第一性原理的SiC材料n型掺杂微观机制与性能调控研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的背景下，半导体材料作为电子信息产业的基础，其性能的提升对于推动各个领域的技术进步至关重要。碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，凭借其卓越的物理性质，在功率器件领域展现出了巨大的应用潜力，成为了近年来材料科学研究的热点之一。

SiC材料具有宽禁带、高导热率、高击穿电场强度和高电子饱和漂移速率等优异特性。与传统的硅（Si）材料相比，SiC的禁带宽度约为3.26eV，是Si的三倍左右，这使得SiC器件能够在更高的温度和电压下稳定工作，有效减少了热失控的风险，提高