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高数值孔径光刻中光的传播与成像机制及优化策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，半导体制造作为信息技术产业的核心与基础，其技术水平和生产能力已成为衡量一个国家科技实力与综合国力的关键指标。在半导体制造的众多复杂工艺中，光刻技术无疑占据着举足轻重的核心地位，被视作集成电路制造的“皇冠明珠”。光刻技术就像是一位精密的工匠，其作用是将设计好的电路图案，以极高的精度从掩模转移到硅片等半导体材料表面的光刻胶上，为后续的刻蚀、沉积等工艺奠定基础，对于芯片的性能、集成度以及成本起着决定性的作用。

随着摩尔定律的持续推进，芯片制造商们一直致力于在单位面积的硅片上集成更多的晶体管