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2025年新版半导体应聘考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种材料在3nm及以下先进制程中，被用于替代传统SiO?作为栅极介电层？

A.氮化硅（Si?N?）

B.高κ材料（如HfO?）

C.二氧化钛（TiO?）

D.碳化硅（SiC）

答案：B

解析：随着制程微缩，传统SiO?栅介质的漏电流问题加剧，高κ材料（如HfO?）因具有更高的介电常数，可在保持等效氧化层厚度（EOT）的同时减少漏电流，是3nm以下制程的关键材料。

2.关于极紫外光刻（EUV）技术，以下描述错误的是？

A.采用13.5nm波长的光源

B.需在真空环境中完成曝光

C.光掩模为反射式结构

D.可直接替代浸没式光刻（DUV）用于所有层级图案化

答案：D

解析：EUV虽能实现更小的分辨率（≤20nm），但目前成本高、产能受限，实际生产中常与DUV（如ArF浸没式）配合使用，并非完全替代。

3.衡量半导体器件载流子输运能力的关键参数是？

A.击穿电压（BV）

B.迁移率（μ）

C.阈值电压（Vth）

D.跨导（gm）

答案：B

解析：迁移率反映载流子在电场下的运动速度，直接影响器件开关速度和驱动电流，是衡量材料电学性能的核心参数。

4.以下哪种工艺用于在晶圆表面形成局部绝缘区域