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《半导体》习题与答案合集.docx

《半导体》习题与答案合集.docx

    第一章习题

    1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：

    Ec=

    （1）禁带宽度;

    导带底电子有效质量;

    价带顶电子有效质量;

    （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化

    解：（1）

    2.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

    解：根据：得

    补充题1

    分别计算Si（100），（110），（111）面每平内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）

    Si在（100），（110）和（111）面上

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