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分子动力学模拟预测新型拓扑材料性质

摘要：分子动力学模拟凭借其对原子运动轨迹的实时追踪与热力学性质的精确描述，已成为预测新型拓扑材料物性的重要工具。本文系统论述了基于经典力场与第一性原理分子动力学模拟拓扑绝缘体、外尔半金属及高阶拓扑材料的晶格动力学、电子-声子耦合及热输运特性的方法论。重点分析了拓扑表面态在有限温度下的稳定性、拓扑相变临界行为以及缺陷对拓扑保护的退化机制。结合典型体系（如Bi?Se?、Mn?Sn、Cd?As?）的计算实例，给出了力场选择、系综设定与收敛判据的优化策略。本工作为拓扑材料的高通量筛选与器件应用提供了可靠的计算框架。

关键词：分子动力学模拟；拓扑材料；拓扑绝缘体；电子-声子耦合；高温相变

第一章绪论

拓扑材料因其受对称性保护的边缘态或表面态，展现出独特的量子输运与热电性能，成为凝聚态物理与材料科学的前沿热点。然而，真实材料总是在有限温度下服役，晶格振动、热膨胀以及缺陷演化都会对拓扑非平庸态产生深刻影响。传统的能带计算与拓扑不变性分析大多基于静态晶格，无法捕捉原子尺度的动态涨落。分子动力学模拟作为一种显式包含温度效应的计算方法，恰好填补了这一空白。

近年来，分子动力学与拓扑材料研究的融合日益紧密。一方面，经典分子动力学借助经验势函数（如Tersoff、ReaxFF）可以高效模拟大尺寸体系（百万原子量级），用于研究拓扑材料的热导率、晶界效应以及辐照损伤。另一