CN119270597A 基于双光子与受激辐射损耗效应的超分辨激光直写与成像方法和装置 (浙江大学).pdfVIP

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  • 2026-07-06 发布于重庆
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CN119270597A 基于双光子与受激辐射损耗效应的超分辨激光直写与成像方法和装置 (浙江大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119270597A

(43)申请公布日2025.01.07

(21)申请号202411804136.8G02B27/58(2006.01)

(22)申请日2024.12.10

(71)申请人浙江大学

地址310058浙江省杭州市西湖区余杭塘

路866号

(72)发明人徐良刘秋兰张嘉晨杨臻垚

匡翠方刘旭

(74)专利代理机构杭州天正专利事务所有限公

司33201

专利代理师王兵

(51)Int.Cl.

G03F7/20(2006.01)

G03F7/004(2006.01)

G02B2

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