CN119835970A 半导体结构及其制备方法、存储器及电子设备 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835970A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311307964.6

(22)申请日2023.10.10

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区科创十街18号院11号楼四层401室

(72)发明人宋艳鹏王祥升王海玲刘晓萌王桂磊赵超

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师杨明莉

(51)Int.Cl.

H10D30/62(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/23(2025.01)

H10D62/13(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10B12/00(2023.01)

权利要求书2页说明书11页附图8页

(54)发明名称

半导体结构及其制备方法、存储器及电子设

备

(57)摘要

CN119835970A本公开涉及一种半导体结构及其制备方法、存储器及电子设备，半导体结构包括衬底，叠层结构以及栅极结构；叠层结构位于衬底上，包括由下至上依次叠置的第一端结构、沟道层及第二端结构；第一端结构包括第一端外延层及第一端阻挡层，第一端外延层位于沟道层与衬底之间，第一端阻挡层位于第