CN119833472A 一种富陷阱层通孔和接触通孔同步刻蚀方法 （江苏卓胜微电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833472A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311326439.9

(22)申请日2023.10.13

(71)申请人江苏卓胜微电子股份有限公司

地址214000江苏省无锡市滨湖区建筑西

路777号A3幢11层

(72)发明人杨政张梦雪丁超王旭孙敏彦张京晶

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师李仪萍

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图7页

(54)发明名称

一种富陷阱层通孔和接触通孔同步刻蚀方

法

(57)摘要

CN119833472A本发明提供一种富陷阱层通孔和接触通孔同步刻蚀方法，包括：提供一基底，基底包括自下而上层叠的富陷阱层、第一待刻蚀层和器件层，基底上设置有层叠的刻蚀停止层、第二待刻蚀层和掩膜层，掩膜层中设置有富陷阱层通孔开口和接触通孔开口；采用第一刻蚀气体进行高负载刻蚀，使得富陷阱层通孔贯穿第二待刻蚀层和刻蚀停止层，接触通孔延伸入第二待刻蚀层中；采用第二刻蚀气体进行高选择比刻蚀，使得富陷阱层通孔贯穿绝缘层和第一待刻蚀层，接触通孔贯穿第二待刻蚀层显露刻蚀停止层；采用第三刻蚀气体刻蚀刻蚀停止层，以使接触通孔贯