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磁控溅射工艺参数标准

磁控溅射工艺参数标准

一（1）磁控溅射工艺参数标准中的本底真空度控制。本底真空度是磁控溅射工艺的基础参数，直接影响薄膜的纯度和附着力。标准规定，在启动溅射前，腔体必须抽至高真空状态，通常要求本底真空度达到5.0×10??Pa以下，对于高纯度薄膜如光学膜或半导体膜，则需优于1.0×10??Pa。这一标准的制定基于气体分子运动理论，残余气体中的水蒸气、氧气和氮气会在溅射过程中与靶材原子发生碰撞并掺入薄膜，导致薄膜产生缺陷或氧化。为确保本底真空度的稳定性，工艺标准要求采用双级真空泵组，即机械泵配合分子泵或低温泵，并在抽真空过程中进行烘烤除气，烘烤温度通常设定为150°C至