CN119836330A 用于制造具有大纵横比的三维纳米结构的方法 （修米克公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119836330A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202380064133.2

(22)申请日2023.07.13

(30)优先权数据

FR22072212022.07.13FR

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.03.06

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/FR2023/0510872023.07.13

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/013461FR2024.01.18

(71)申请人修米克公司

地址法国巴黎

(72)发明人M·帕斯夸尔N·比干

A·姆巴基

(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限

公司11314

专利代理师程伟于高瞻

(51)Int.Cl.

B22F1/0545(2006.01)

B22F10/10(2006.01)

B33Y70/10(2006.01)

权利要求书2页说明书21页附图7页

(54)发明名称

用于制造具有大纵横比的三维纳米结构的

方法

(57)摘要

CN119836330A本发明涉及一种用于制造三维纳米结构的方法，该方法包含以下步骤：一使喷射器(100)在接触基板(20)的低位置与不接触该基板(20)的高位置之间振荡，该喷射器(10