CN119894011B 半导体器件、其制备方法及电子设备 （深圳平湖实验室）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119894011B

(45)授权公告日2025.06.27

(21)申请号202510377782.9

(22)申请日2025.03.28

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119894011A

(43)申请公布日2025.04.25

(73)专利权人深圳平湖实验室

地址518116广东省深圳市龙岗区平湖街

道中科亿方智汇产业园12栋

(72)发明人夏云陈刚周紫薇刘玮胡浩林王晓萍

(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理

有限公司11291

专利代理师刘源

(51)Int.Cl.

H10D8/00(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D84/40(2025.01)

H10D12/00(2025.01)

(56)对比文件

JP2003017700A,2003.01.17

CN103703566A,2014.04.02审查员孙士博

权利要求书1页说明书7页附图20页

(54)发明名称

半导体器件、其制备方法及电子设备

(57)摘要

CN119894011B本公开的半导体器件、其制备方法及电子设备，包括：N+衬底；第一N一缓冲层，位于N+衬底