GBT 14847-2025 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法标准立项发展报告.docxVIP

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试红外反射法标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayersonheavilydopedsiliconsubstrates—Infraredreflectancemethod

摘要

关键词

GB/T14847-2025；重掺杂衬底；轻掺杂硅外延层；厚度测试；红外反射法；半导体材料；标准化；无损检测

Keywords:GB/T14847-2025;HeavilyDopedSubstrate;LightlyDopedSiliconEpitaxialLayer;ThicknessMeasurement;InfraredReflectanceMethod;SemiconductorMaterials;Standardization;Non-destructiveTesting

一、标准修订背景与意义

1.1技术发展与行业需求

硅外延技术是现代半导体工业的基石之一，通过在重掺杂硅衬底上生长一层轻掺杂的单晶硅外延层，可有效降低器件的集电极串联电阻、提高击穿电压并改善频率特性。外延层厚度是决定器件电