材料的电学性质;材料的导电特性;材料的导电特性;从霍尔效应说起;霍尔效应的解读;P型半导体和N型半导体;半导体的能带结构;能带是怎么形成的?;公有化过程简单说;电子公有化运动的结果;电子如何填充新的能级;半导体能带的特点;半导体能带结构是如何得到的?;自由电子的运动状态;晶体中的电子;如何求解?;一维晶体薛定谔方程的解;如何认识这个解?;禁带的位置——布里渊区边界;可见:;;用能带理论解释物质的导电性质:;绝缘体、半导体和导体的经典能带图;;自由载流子对外加电场力的反馈;;;;晶体场中的载流子对外加电场力的反馈;;;;重要区别:;有效质量的意义;;;空穴的概念和性质;;半导体载流子有效质量的测量;;;;;回旋共振实验介绍;实验原理和方法;;;;解法;;半导体PN结的单向导电性;从空间载流子的角度来阐述如下:;从能带的角度来阐述如下:;金属-氧化物半导体场效应晶体管;MOSFET器件举例:;NMOS的结构:;工作原理;;MOSFET的尺寸缩放;为何要把MOSFET的尺寸缩小;MOSFET的尺寸缩小后出现的困难;;;一些解决办法:;MOSFET的最新版finFET;实例:Intel14nm工艺;横切面照片。65nm节点引入的厚金属顶层依然在,而且现在其下已经堆到了13层!以及一个金属绝缘层。
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